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FDN360P强势原装
FDN360P强势原装
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FDN360P强势原装

封装 / 箱体::

SSOT-3

Vds-漏源极击穿电压::

30 V

Id-连续漏极电流::

2 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 20 V, + 20 V

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FDN360P强势原装

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制造商:

onsemi

 

产品种类:

MOSFET

 

RoHS:

 详细信息

 

技术:

Si

 

安装风格:

SMD/SMT

 

封装 / 箱体:

SSOT-3

 

晶体管极性:

P-Channel

 

通道数量:

1 Channel

 

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

 

Id-连续漏极电流:

2 A

 

Rds On-漏源导通电阻:

63 mOhms

 

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

 

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

 

Qg-栅极电荷:

9 nC

 

Pd-功率耗散:

500 mW

 

通道模式:

Enhancement

 

商标名:

PowerTrench

 

封装:

Reel

 

封装:

Cut Tape

 

封装:

MouseReel

 

商标:

onsemi / Fairchild

 

配置:

Single

 

下降时间:

13 ns

 

高度:

1.12 mm

 

长度:

2.9 mm

 

产品:

MOSFET Small Signal

 

产品类型:

MOSFET

 

上升时间:

13 ns

 

系列:

FDN360P

 

工厂包装数量:

3000

 

子类别:

MOSFETs

 

晶体管类型:

1 P-Channel

 

类型:

MOSFET

 

典型关闭延迟时间:

11 ns

 

典型接通延迟时间:

6 ns

 

宽度:

1.4 mm

 

零件号别名:

FDN360P_NL

 

单位重量:

30 mg

 

 

毅创辉电子成立2008年,拥有14年供货经验,主营ALTERA XILINX

 

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本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式BOM配单采购服务。

封装 / 箱体::

SSOT-3

Vds-漏源极击穿电压::

30 V

Id-连续漏极电流::

2 A

Vgs - 栅极-源极电压::

- 20 V, + 20 V